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韩国SK海力士为何停止购买中微蚀刻设备

SK海力士韩国清州工厂(图片来源:韩国《The Electronic Times》)
<SK海力士韩国清州工厂(图片来源:韩国《The Electronic Times》)>

韩国SK海力士决定停止购买总部设在上海的中微半导体设备有限公司(AMEC,以下简称“中微”)所生产的蚀刻设备。究其原因在于它的性能不及期望,以及有信息泄露危险等因素。

中微是出身于应用材料公司的尹志尧博士在2004年创立的,工程师大部分来自于在应用材料公司积累过经验的人员。是中国国内数一数二的前工程半导体设备公司。

SK海力士的韩国忠清北道清州2D NAND Flash(储存型快闪存储器)生产线(M11、M12)购买了中微的数台蚀刻设备“Primo”然而生产3D NAND Flash的“Primo Plus”则性能欠佳,通过去年9月的性能评价已经得出了此结论,当时韩国利川R3研究所经过测试后将设备退回了。韩国SK海力士虽然在今年8月再次购买了1台Primo Plus,但它是为了测试2D设备是否能够升级成生产3D的设备。目前并没有追加购买的计划。

业界相关人士本月4日表示:“3D NAND Flash的蚀刻工艺难度不尽相同,中微的设备无法满足SK海力士所要求的高难度工艺需要的条件。今年新购入的设备,是为了确认它能否进行难度较低的3D NAND蚀刻工艺以及更新已有的设备”。

韩国SK海力士暂时中止与中微的交易,虽然从表面上看是由于性能不足的问题,然而业界认为更重要的原因则是由于担心信息泄露。在于中微的营销负责人或工程师就设备购买、维护、改进性能等问题沟通时,关于核心工艺的发展方向、生产量、投资信息等机密会有泄露的危险。中国最近正在积极构建3D NAND Flash生产体制。日本经济新闻近日报道了长江存储科技(YRST)试图与美国美光科技开展技术合作,长江存储科技是紫光集团在收购大型国有半导体企业武汉新芯集成电路制造有限公司(XMC)后新成立的公司。

蚀刻是指在蒸镀工艺后,将附着在晶片上的各种薄膜通过化学反应将其削的工艺。为了配线需要打孔或者刻线路的时候,需要用到蚀刻工艺。大体上能够做到孔越小,或者纹路间隔越窄的蚀刻设备就是越高级的设备。世界蚀刻设备的市场目前由美国泛林集团及应用材料公司、日本东京电子有限公司(TEL)掌控着。将存储元件往上堆积制成的3D NAND Flash在生产过程中,蚀刻比蒸镀及曝光更为重要。专业制造蚀刻设备的美国泛林集团能够在近几年来快速发展也得益于3D NAND Flash市场的繁荣发展。

原韩国三星电子的设备子公司细美事公司(SEMES)及应用材料公司(韩国)负责人金南宪(音译)在2002年创立的ATPC公司才实现了蚀刻设备可在韩国生产。细美事公司与APTC分别向韩国三星电子及SK海力士提供设备。韩国生产的蚀刻设备也无法用于对设备信赖度要求高的3D NAND Flash生产工艺,因而提升性能是最大的任务。(本文章来源于韩国合作媒体韩国《The Electronic Times》)

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