由三星电子与SK海力士引领的韩国半导体器件产业今年将首次挑战300千亿韩元（约合1760亿元）营业利润的目标。不仅储存器价格持续直线走高，而且还将有带动代工行业（Foundry）显著发展的可能性。300千亿韩元的营业利润大大超出了2015年韩国半导体行业繁荣时期创下的180千亿韩元营业利润规模。这同时也预告了韩国半导体行业将迎来前所未有的黄金时期。
本月18日，据韩国证券市场及半导体业界预测，今年韩国三星电子仅在半导体事业上的营业利润就有望达到210-220千亿韩元。而SK海力士的营业利润也有望超过70千亿韩元，达到近80千亿韩元。也就是说，去年同比三星电子的利润增长了60%以上，而SK海力士则增长了100%以上，两家企业均创下历史新高。
据韩国半导体业界专家观测，除三星电子及SK海力士之外，加上东部高科（Dongbu HiTek）及其它中小规模Fabless企业的利润，总利润规模将达到300千亿韩元。
使得韩国利润增长的最大因素在于存储器涨价，存储器的价格自去年年中以来就持续保持涨势。据市场调研公司全球半导体观察（DRAMeXchange）表示，去年年底DDR3 4Gb存的价格为1.94美元（约合13元），较6月（1.25美元）增长了55.2%。NAND Flash的情况亦是如此。主力产品64Gb的MLC产品去年年底价格为2.72美元，较6月（2.24美元）增长了21.4%。
据韩国业界相关人士乐观估计：“2013年12月，DRAM主力产品的价格曾飙升至3.94美元，照此趋势，目前还有充分的上升空间”。
韩国HMC投资证券研究中心长卢根昌（音译）表示：“虽然第二季度计算机DRAM的价格有可能下跌，但由于供给受限，预计第三季度开始将稳步回升。根据存储器的价格趋势，预计SK海力士今年一年的销售额将达到233千亿韩元，营业利润升至78千亿韩元。”韩国投资证券研究员刘中宇（音译）预测：“三星电子凭借存储器价格强势走高，相关部门的销售额将达到640千亿韩元，营业利润为215千亿韩元”。
存储器价格上涨的主要原因在于供应量的增加速度满足不了极大的市场需求。此现象在DRAM方面十分显著。韩国半导体行业的龙头老大三星电子在新投资及转变微电子工艺技术方面动作较为迟缓。韩国业界推测，这是针对Galaxy Note 7做出的利润保护战略。
DRAM的精细化遇到技术瓶颈也是原因之一。投资资金由此呈几何倍数增长。此前，投入50-60千亿韩元，能够构建用300毫米的晶圆生产出15万张的生产线。近日则飙升至了100千亿韩元。
近日，在NAND Flash方面，随着积层式3D技术普及，相关投资也在增加。据专家分析，即使在此情形下，用于计算机及服务器SSD（固态硬盘）的需求仍然十分旺盛，在此基础上继续新建工厂也不会导致价格急剧下跌。
韩国代工行业的发展亦保持强势。三星电子系统LSI事业部的代工事业小组已拿下了美国高通公司等多家大型客户。东部高科亦借助物联网（IoT）大潮，业绩逐年增长。
韩国半导体业界专家忧虑道：“DRAM价格持续走高的原因在于供不应求，以及并未显现扩大投资的迹象。仅在3D NAND方面有所投资，然而，由于近日针对主要企业总裁的特检组调查将会长期化，相关投资受到延误的可能性极大”。（本文章来源于韩国合作媒体韩国《电子新闻》）
