韩国科学技术院（KAIST）通过将流动性液晶材料压缩成框架，开发出了排列整齐度与硬度仅次于金属的半导体元件。利用该技术可以更加简单地制作出各种形态的高性能元件，有望提高半导体的生产效率。

2月14日，韩国科学技术院表示，纳米科学技术研究生院尹东基（音译）教授团队利用5CB材料首次成功开发出了排列整齐度高于现有高分子半导体材料的半导体元件。

<利用液晶材料制作而成的排列整齐度较高的半导体元件结构原理图（图片来源：韩国《电子新闻》）>

液晶材料排列方向易控制，反应速度快，因此被广泛应用于液晶显示器、光学传感器等。但由于液晶材料具有流动性，因此排列整齐度较低，应用范围存在局限。如果排列整齐度较低，则电的特性也相对较弱，无法对电、电磁场产生敏感反应。

研究团队队通过对液晶材料进行全方位压缩，开发出了排列整齐度较高的技术。即构建出3D框架，向材料施加压力。由此制作而成的元件排列整齐度接近金属的排列整齐度（1序参数），而目前利用高分子制作而成的元件排列整齐度为0.6-0.8序参数。通过提高排列整齐度、增加压缩工序，大规模集成元件的性能也将实现最大化。

此外，制作元件的工序也将得到大幅简化。现有“光刻技术工序（将晶体管的模样转移到晶圆上从而制作出半导体）”大约由600多道工序组成，通过将很多张做好的元件垂直重叠从而构建出3D结构。

然而此次开发出的技术却与之不同，它可以利用压缩工序一次性构建出3D结构，无需进行冷却、干燥，半导体制作工序缩减为原来的10%左右。

<参与此次研发的韩国科学技术院纳米科学技术研究生院教授尹东基，博士金韩任（图片来源：韩国《电子新闻》）>

此外，以前很难制作出的螺旋型元件的制作也变得更加容易，只需构建出螺旋型压缩框架即可。

研究团队表示，该技术不仅可以应用于高性能半导体元件的制作，还可以应用于高性能光电元件、遮光材料、隔离膜的制作。

尹东基表示：“与现有2D光刻技术工序相比，我们开发出的技术不仅将制作工序减少了10倍以上，同时也提高了性能”，“利用该技术可以制作出此前很难制作的复杂结构，预计将为半导体、液晶显示器等相关领域带来新成长动力”。（本文章来源于韩国合作媒体韩国《电子新闻》）